Duis aute irure dolor reprehenderit
Безопасность труда технологических процессов рэа декабря 22, 2015 admin В основе изготовления тонкопленочных микросхем лежит процесс получения тонких пленок (не более 1 мкм) методами термического осаждения (испарения с последующим осаждением) в высоком вакууме или катодного распыления ионной бомбардировкой в ??среде разреженного инертного газа. Рисунок тонко-пленочной интегральной микросхемы получают нанесением пленки на определенные участки подложки с помощью маски или удалением с помощью фотолитографии пленки, покрывающей всю поверхность подложки, которая представляет собой пластинку из стекла, ситалла, Поликор и другого диэлектрического материала, изготовленного с высоким классом чистоты рабочей поверхности. Если же пассивные элементы схемы (конденсаторы, резисторы), контактные площадки и межсоединения изготавливают последовательным нанесением на поверхность диэлектрика различных паст методом трафаретной печати с последующим их впалюванням, то такая интегральная микросхема называется толстоплёночная. Рассмотрим основные операции технологии изготовления тонко-пленочных микросхем и применяемые при этом химические вещества. Очистка подложек перед напылением выполняют для удаления механических и жировых загрязнений. Очистку проводят на двух взаимосвязанных полуавтоматах вибрационного химической очистки, камеры которых заполняют раствором перекиси водорода. Подложки помешивают в кассету и загружают в центрифугу, где они очищаются от механических примесей. Затем подложки переводят в рабочую камеру полуавтомата для промывания. На втором полуавтомате происходит очищение подложек в перекисно-аммиачной растворе и их промывки после очистки. Напыление резистивного слоя выполняют ионоплазмовим методом, который имеет следующие преимущества по сравнению с методом термического испарения в вакууме: возможность автоматизации процесса напыления; отсутствие навесок; длительный срок службы мишени высокое воспроизведения тонкопленочных резисторов, а также высокие электрофизические свойства напыленных слоев; повышенная адгезия напыленного слоя с подложкой.
